鋁電解電容器的生產(chǎn)流程： 

a）  刻蝕 

陽極和陰極箔通常為高純度的薄鋁箔（0.02～0.1mm厚），為了增加容量，需要增大箔的有效表面積，利用腐蝕的辦法對與電解質(zhì)接觸的鋁箔表面進行刻蝕（成千上萬微小條狀）。對于低壓電容，表面面積可以通過刻蝕增大100倍，對高壓則一般為20～25倍，即高壓電容比低壓電容的腐蝕系數(shù)要小，這是由于高壓的氧化膜較厚，部分掩蓋了腐蝕后的微觀起伏，降低了有效表面積的緣故。  

b）  形成 

陽極箔表面附著電容的電介質(zhì)，這個電介質(zhì)是一層薄薄的鋁氧化物（Al2O3），  它是通過電化學方法在陽極箔表面通過“形成Forming”的工藝過程生成。氧化鋁的厚度與形成電壓有關(guān)（1.4～1.5nm/V），通常形成電壓與工作電壓有一個比例系數(shù)，鋁電容的比例系數(shù)較小，為1.2～2（固體鉭電容為3～5），因此，如果有一個450V額定電壓的鋁電容，若比例系數(shù)為1.4，則形成電壓為450×1.4＝600V，這樣其氧化膜的厚度大概為1.5nm×600 = 900nm，這個厚度不到人頭發(fā)直徑的百分之一。  形成工藝減小了箔的有效表面積。因為微帶狀溝道會被氧化物覆蓋，溝道刻蝕類型可以通過選擇箔和刻蝕過程來調(diào)整  。這樣，低壓陽極有精細的溝道類型和薄的氧化物，而高壓陽極有粗糙的溝道類型和厚的氧化膜，陰極箔不用進行形成，所以它還保持大的表面面積和深度刻蝕樣貌。  

c）  切片 

鋁箔以一卷成40～50cm寬的條狀，在經(jīng)過刻蝕和形成工藝后，再根據(jù)最終電容高度規(guī)格要求切成所需的寬度。 

d）  芯包卷繞 

鋁箔切片后，在卷繞機上按一層隔離紙、陽極箔、另一層隔離紙、陰極箔合成并卷繞成柱狀芯子結(jié)構(gòu)，并在外面在卷上一個帶狀的壓敏條來防止芯子散開。分隔紙作為陽極箔和陰極箔之間的襯墊層，既可以用以防止兩電極箔接觸而短路，同時作為吸附和蓄存液態(tài)工作電解質(zhì)的載體。 在芯包卷繞前或卷繞過程中，鋁墊引出片鉚接到兩個電極箔上，以方便后面引出到電容的端極  。最好的鉚接方法是采用微處理器控制定位的冷壓焊接，以保證這過程中芯子的寄生電感小于2nH，較古老的鉚接方法是通過穿透鋁箔，折疊起來的方式，冷壓焊接降低了短路失效的可能性，而且在高紋波電流應用下有較好的特性，而舊的鉚接方式在充放電應用場合下常會使個別連接點斷裂失效。 

e）  連接引出端 

鋁墊引出片的擴展就是電容的引出端極。對于軸向引線結(jié)構(gòu)的電容，陰極墊在密封前與金屬外殼焊接在一起。 

f） 注入液態(tài)電解質(zhì) 

在芯子里注滿了工作電解液讓分隔紙充分吸收并滲透至毛細的刻蝕管道中。注入過程是將芯子浸漬在電解液中并進行加熱（或不加熱）的真空－強壓循環(huán)處理，對于小容量電容，僅僅只是浸漬吸收就可以。電解液由不同化學成分混合而成，根據(jù)不同的電壓和應用環(huán)境溫度范圍，其組成成分也不同。水在電解液成分中占據(jù)一個主要角色，它增加了電解液可導性從而減小了電容的ESR，但同時降低了沸點影響了在高溫下的性能，降低了貯藏時間。當漏電流流過，水分子分解成氫氣和氧氣，氧氣在漏電流處與陽極箔金屬生成新的氧化膜（自愈），氫氣則通過電容的橡膠塞逸出。因此為了維持氧化膜的自愈特性，是需要有一定比例成分的水。      

g）  密封 

電容芯子密封在金屬外殼罐里，大多數(shù)金屬外殼為鋁。為了釋放產(chǎn)生的氫氣，并不是絕對的密封，當內(nèi)外壓力差值超過某一值時，氫氣可單向透過橡膠逸出，消除爆破的危險。總的來說，封得太密，會導致過強的壓力，太松，則會使電解液揮發(fā)干涸失效。 

h）  老化 

老化是電容生產(chǎn)的最后一步，在這個過程中，會施加一個大于額定電壓但小于形成電壓的直流電壓，一般會在電容的額定溫度下進行（也可能在其它溫度甚至室溫下），這個過程可以修復氧化膜的缺陷，老化是篩選早期失效的電容的一個很好手段，低的初始漏電流是有效老化的一個標志。